開催のご挨拶
13:00-13:50　菊池 昭彦（上智大学 フォトニクス研究センター長、半導体研究所長）

招待講演の部（現地＆Zoom）13:05-16:50

O-1　13:05～13:45　（特別招待講演）
　　窒化物半導体・超伝導体・強誘電体のエピタキシャル融合
　　小林 篤
　　東理大先進工　

O-2　13:45～14:10　
　　ナノテンプレート選択成長法を用いたInGaN/GaNナノコラム成長
　　富樫 理恵１,2, 吉村 賢哉１，工藤　駿介1，星野 航太1，山田 純平2，岸野 克巳2
　　1上智大理工、上智大ナノテク2

O-3　14:10～14:35
　　InGaNナノコラムアレイのフォトニック／プラズモニックバンド強結合と

　　発光増強特性

　　大音 隆男1，早川 将太朗1，岡本 晃一2，富樫 理恵3,4，岸野 克巳4
　　1山形大院理工，2阪公大院工，3上智大理工，4上智大ナノテク

O-4　14:35～15:00
　　量子回路を使った機械学習による物質相判定
　　大槻 東巳
　　上智大理工

休憩　15:00～15:10

O-5　15:10～15:35
　　六方晶及び立方晶GaNマイクロディスクにおけるWGM発振
　　酒井 優1，光野 徹也2, 東海林 篤1, 菊池 昭彦3,4,5, 岸野 克巳6
　　1山梨大工、2静岡大工、3上智大理工、4上智大半導体研究所、

　　5上智大フォトニクス研、6上智大ナノテク

O-6　15:35～16:00
　　GaNメンブレン型可視域トポロジカルフォトニック結晶の作製と評価

　　菊池 昭彦1,2,3、高野 大和1、倉邉 海史1、本多 卓人1、秋元 弥頼1、杉浦 雛姫1
　　1上智大理工、2上智大半導体研、3上智大フォトニクス研

O-7　16:00～16:25
　　脳システム解明に向けたマイクロデバイスシステムの開発
　　関口 寛人
　　豊橋技科大

O-8　16:25～16:50
　　ミストCVD法による多様なZnO微細結晶の微小光共振現象
　　光野 徹也1，加藤 航大１, 原 和彦１, 酒井 優2
　　1静岡大工、2山梨大工

休憩　16:50～17:00
　　　工藤　駿介1、吉村 賢哉1、富樫　理恵１,2、岸野 克巳1,2
　　　1上智大理工、2上智ナノテク

P-2　 HEATE法によるGaNナノホールのエッチング特性
　　　 本多 卓人1，秋元 弥頼１, 倉邉 海史１, 髙野 大和１, 相川 健喜1, 菊池 昭彦1,2,3
　　　 1上智大理工、2上智大フォトニクス研、3上智大半導体研

P-3　 InP 基板上 MgZnCdSe/MgZnSeTe 系Ⅱ-Ⅵ族半導体レーザーの理論解析
　　　小沼 遼、野村 一郎
　　　上智大理工

P-4　 ナノテンプレート選択成長法を用いたAlN/Si(111)基板上への赤色発光InGaN/GaN

　　　ナノコラム成長
　　　星野 航太1、吉村 賢哉１、山田 純平2、富樫 理恵１,2、岸野 克巳2
　　　1上智大理工、2上智大ナノテク

P-5　 GaN トポロジカルPhCの可視全域でのトポロジカルエッジ伝搬の観測
　　　杉浦 雛姫1，米田 幸司１, 高野 大和１, 倉邊 海史１ 菊池 昭彦1,2,3
　　　1上智大理工、2上智大フォトニクス研、3上智大半導体研

P-6　 自己触媒VLS法による高密度GaAsナノワイヤの製作
　　　Ｃhen　Chen、杉田 楓夏、下村　和彦
　　　上智大理工

P-7　 可視全域に対応するメンブレン型GaNトポロジカルフォトニック結晶構造の作製
　　　秋元 弥頼1，髙野 大和１, 倉邉 海史１, 本多 卓人１, 菊池 昭彦1,2,3
　　　1上智大理工、2上智大フォトニクス研、3上智大半導体研

P-8　 ナノコラムLEDにおける異なるコラム周期に対応したITO電極形成技術
　　　進藤 隆太1、赤川 広海1。山口 智広1、尾沼 猛儀1、野村 一郎2,3、本田 徹1、

　　　富樫 理恵2,3、岸野 克巳2
　　　1工学院大、2上智大ナノテク、3上智大理工

P-9　 InP/Si 基板上 SCH-MQW レーザのボイドによる散乱損失を考慮した低しきい値

　　　構造の検討
　　　黒井 瑞生、趙 亮、下村 和彦
　　　上智大理工

P-10　超低閾値化を目指したInGaN系レーザの特性解析と空気/GaN DBR構造の作製
　　　佐藤 秀哉1、早野太樹1、菊池 昭彦1,2,3
　　　1上智大理工、2上智大フォトニクス研、3上智大半導体研

P-11　RF-MBE 法による GaInN 超格子を挿入したGaInN 多重量子井戸の成長と評価
　　　竹内 丈 1，山口 智広１, 富樫 理恵 2,3, 尾沼 猛儀１, 本田 徹 1, 岸野 克己 3
　　　１工学院大、2上智大理工、3上智大ナノテク

P-12　InP 基板上 II-VI 族化合物半導体共鳴トンネルダイオードの理論解析と高性能化に

　　　向けた検討
　　　Zengyi Qian、Guancan Xie、Peijie Yang、野村一郎
　　　上智大理工

P-13　赤色発光に向けたLEDデバイスの作製
　　　赤川 広海1、進藤 隆太１、山田 純平2、山口 智広１、尾沼 猛義1、野村 一郎2,3、

　　　本田 徹1、富樫 理恵2,3、岸野 克巳2

　　　1工学院大学、2上智大理工、3上智大ナノテク