要旨：反強磁性体やフェリ磁性体のテラヘルツ応答性の評価は古くから行われているが、そのほとんどがバルク結晶を対象としたもので、薄膜を対象とした評価はほとんど行われていない。テラヘルツで動作する反強磁性体・フェリ磁性体を用いたスピンデバイスは、近年発展が目覚ましい情報通信処理分野や超高速エレクトロニクスにおける次世代デバイスとして期待されており、デバイス応用に資する薄膜材料のテラヘルツ特性評価が急務になっている。本講演では、ジャイロトロンを利用したサブテラヘルツ帯における磁性薄膜の磁化ダイナミクスの測定結果について紹介する。
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お問い合わせ： 石川裕也（福井大学遠赤外領域開発研究センター）
ishikawa@fir.u-fukui.ac.jp 