課程名稱: 矽鍺技術及其在CMOS積體電路元件之應用
課程簡介：
矽鍺合金材料的出現改寫了矽基元件的里程碑，進而衍生出矽鍺技術之開展與應用。90年代IBM 首先推出UHVCVD製程機台來成長高品質矽鍺合金薄膜材料，並應用在SiGe HBT射頻元件上。2000年以後INTEL採用矽鍺材料在其90奈米之後的所有CMOS積體電路元件上。本課程從材料到元件為學員做詳細的介紹，讓大家能夠輕易入門高階CMOS積體電路元件技術。

課程綱要:
1. Introduction
2. History of SiGe Technology
3. Basic Device Physics of SiGe alloy
4. Strain Engineering from SiGe Technology
5. Basic MOSFET Device Review
6. CMOS Device Design & Performance Factors
7. FinFET Device
8. Nanosheet LGAA MOSFET Device