#競賽緣起：
全球晶片製造業創新研究發展重點之一在於次世代電力電子及射頻功率元件製造技術，由於矽(Si)材料已接近其理論上的性能極限，具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，將成為次世代功率電子產品及應用重要平台。國家中山科學研究院與台灣經濟研究院為推廣高功率模組應用之半導體材料及元件製造技術開發，於2015年一同成立高功率元件應用研發聯盟，為台灣功率半導體產業注入一股新動能。為推廣國內學術研究單位投入功率半導體材料及高功率模組電力電子應用相關研究，將於2023功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇活動配合舉辦學生論文海報競賽，期能促成我國學研各界交流研討及合作研究。
#主辦單位：高功率元件應用研發聯盟
#協辦單位：國家中山科學研究院、台灣經濟研究院
#時間：2023年11月10日(五)
#地點： 臺大醫院國際會議中心(台北市中正區徐州路2號)
#報名資格： 全國大專院校大學生及碩、博士生(含111學年度畢業)
#活動網站連結：
https://gan-sic-poster-competition.webnode.tw/#學生論文競賽主題說明：
1.功率電子元件技術:
本主題範圍涵蓋各類功率電子元件的最新發展與新型材料元件應用研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子相關之技術、新型材料、物理與可靠性分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1)高電子遷移率材料；(2)功率電子元件製造技術；(3)元件結構設計與模擬；(4)元件可靠性分析與壽命預估。
2.功率電子封裝與功率模組應用技術:
本主題範圍涵蓋功率電子元件之散熱封裝及電源轉換功率模組應用技術研發，特別是碳化矽/氮化鎵功率電子封裝設計與模擬、電路構裝散熱分析與量測；以及碳化矽/氮化鎵功率模組/電源轉換應用相關之模組電路架構設計與製造、應用電路效能分析等等，包含(但不限定)以下領域之論文：(1)功率電子封裝材料；(2)模組構裝散熱分析與量測；(3)功率模組設計技術；(4)電源轉換器應用研發。
3.新穎功率半導體材料與元件分析技術:
本主題範圍涵蓋功率電子材料或元件相關之檢測分析及檢測技術最新發展與應用，包含(但不限定)以下領域之論文：(1)材料影像分析技術：SEM、AFM、C-AFM、SCM、STM、SSRM、MFM、TEM及SNOM；(2)材料晶體結構分析技術：TEM及XRD；(3)材料成分分析技術：EDS、AES、XPS、SIMS及FTIR。
